西北师范大学党委副书记王全进在致辞中表示，该碳-14核电池原型机不仅是国际上首款以碳化硅半导体材料及高比活度c-14为基础的高功率核电池，更实现了三大突破：一是续航能力跨越百年，为极地探测、深海装备、航空航天等极端环境提供全天候能源支撑
sdt g4系列从用户体验出发，以匠心设计打造"静、轻、简"三大核心体验：静享绿色生活：引入碳化硅器件，降低损耗为机器散热减负，通过优化散热结构与独家降噪技术，运行噪音低至45db以下，即使在庭院安装，
阳光电源是最早在光伏逆变器中批量商用sic器件的企业。2021年发布的1500v组串逆变器sg320hx，率先采用了2000v碳化硅器件。...1.高密高效率随着第三代宽禁带半导体成本下降和国产化替代， 未来逆变器将广泛使用 sic、gan 器件，配合强大的控制算法和算力及新型散热封装技术，设备功率密度和效率将显著提升。
产业链1、行业产业链分析高压快充产业链上游为原材料和零部件，其中，原材料包括碳化硅功率器件、负极材料、电解液等；零部件包括新能源汽车充电模块、智能电表、dc转换器、高压直流继电器、薄膜电容器等。
瞻芯电子本轮首批融资款将主要用于产品和工艺研发、碳化硅(sic)晶圆厂扩产及公司运营等开支。该公司的碳化硅(sic)功率器件和驱动芯片产品，广泛用于新能源汽车、光伏与储能、工业电源和充电桩等重要市场。
仿真数据显示，在60khz高频下，开关损耗已经显著超越了导通损耗，成为碳化硅器件能效优化的主要瓶颈。...此外，英飞凌的.xt封装技术也通过优化芯片与封装之间的连接，显著提升了碳化硅器件的性能和散热能力。
据企业预测，包括集中式逆变器和组串式逆变器，未来或将继续变“大”，但保证设备的友好型和安装的便利性，逆变器功率密度需要更高，这需要新的拓扑结构以及新一代半导体器件，多家企业也透露已有产品应用碳化硅等。
由于工艺限制，目前氮化镓适用于900v以下的场合，而碳化硅在1000v以上的场合具备优势。氮化镓在家储类应用中具有优势，而碳化硅在工商和组串式pcs中具有优势。...第一代以硅和锗为代表，第二代以砷化镓和磷化铟为代表，而第三代则是以氮化镓和碳化硅为代表的材料。
企业正在推动大容量、高压化、构网型、组串式、液冷和碳化硅功率器件等技术趋势。
艾罗能源户储采用自研bms，大量使用碳化硅小元器件来降低损耗，产品在充放电效率、循环寿命等指标上达到了业内领先的水平。首航新能源首航新能源的核心产品主要是光伏并网逆变器、光伏储能逆变器、储能电池等。
公司先进的功率半导体器件为高压直流输电、电能质量和交通运输等提供重要技术支持，并在硅（si）和碳化硅（sic）技术领域持续取得技术突破。
加大新能源发电装备的设计、研发，发展风电发电机组及关键部件，以太阳能光伏硅片、磁性材料、蓝宝石、碳化硅为重点，推动消费电子和光伏产业链智能装备研发技术升级。...重点发展以配套新能源装备的电子元器件产品、动力电池及电池动力系统、太阳能发电、风电装备等核心产品。尤其是大功率电容、电阻、动力电池、镍氢电池、石墨烯固态电容、动力电池三元正极材料等。
值得一提的是，盛弘股份于2023年行业率先推出了“碳化硅版本”工商业储能变流器，将此功率器件加速推入业界视野。...2024年以来，“大容量”、“高压化”、“构网型”、“组串式”、“液冷”、“碳化硅功率器件”等成为pcs厂商对未来技术趋势的预判中。第三方pcs厂商，指的是储能主业为储能变流器pcs厂商。
大力发展新型电子元器件和电子专用材料，突破先进芯片设计、封装、测试技术，推进碳化硅、氮化镓等半导体和国产集成电路成套装备产业化。
聚焦碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料及器件发展，支持提升衬底外延生长工艺，大力发展高频高压器件产品。着力发展汽车电子产业，加快在汽车半导体领域的布局，重点发展车规级半导体产业。
此外，该系统中的电力电子变压器采用第三代半导体碳化硅器件，转换效率高达98.5%，远超传统方案，同时无工频变压器的空载损耗问题，系统循环效率显著提升。
第三代半导体发展以碳化硅、氮化镓为主的宽禁带半导体材料，布局氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体材料。5．未来通信。重点布局先进通信、通用人工智能等领域。先进通信发展6g、卫星互联网、未来网络等技术。...合成生物发展定量合成、生物元器件库设计构建、细胞设计、高通量筛选等技术。
第三代半导体发展以碳化硅、氮化镓为主的宽禁带半导体材料，布局氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体材料。5．未来通信。重点布局先进通信、通用人工智能等领域。先进通信发展6g、卫星互联网、未来网络等技术。...合成生物发展定量合成、生物元器件库设计构建、细胞设计、高通量筛选等技术。
利用以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半 导体器件快速发展的机会，通过高频化和集成化技术路线，结合高频磁元件技术、 电磁兼容抑制技术和智能化控制等技术，提升功率变换器的效率和功率密度，减 低装置体积和重量，
释放前沿业务产品潜能，1200伏、1700伏igbt（绝缘栅双极型晶体管）及sic（碳化硅）器件实现量产。三是建强链长、聚势成群，有效促进产业链供应链自主可控融通发展。
众多光储充领域技术专家、企业代表、行业媒体等人士现场观摩，并围绕光储充放、v2x双向充放电、超高效率碳化硅模块应用等全新充放电技术展开深度探讨。...v2g系列解决方案采用高集成模组化设计，运用优优绿能独立风道散热技术，元器件与风道完全独立的设计，阻断了外界环境对器件的侵蚀和影响，防护等级达ip65，可实现免维护运营。
中能传媒：您在功率半导体器件的可靠性研究方面做了哪些工作？黄永章：功率半导体器件也叫电力电子器件，例如igbt，还有新型碳化硅和氮化镓器件。
中能传媒：您在功率半导体器件的可靠性研究方面做了哪些工作？黄永章：功率半导体器件也叫电力电子器件，例如igbt，还有新型碳化硅和氮化镓器件。
鉴定委员会认定，该项目的研发成果——国内首个6.5千伏碳化硅（sic）器件及高功率密度电力电子变压器的整体技术达国际领先水平，推广应用前景广阔。...日前，由国网智能电网研究院有限公司牵头，国网河北省电力有限公司、华北电力大学、清华大学等单位共同参与的“6.5千伏碳化硅器件及高功率密度电力电子变压器研制与工程应用”项目通过中国电机工程学会技术鉴定。
qorvo 在电源领域持续深耕，通过丰富的产品组合如电源管理芯片（pmic）、断电保护（plp）、dc/dc 稳压器、电池管理、智能电机控制以及碳化硅产品，来满足工业、企业、消费电子和汽车领域的供电、保护和控制需求
