jeff lin 介绍了 qorvo 旗下符合 wi-fi 7 规范的前端射频模块（front end module）器件与涵盖整个 5ghz（unii1-3）与 6ghz（unii5-8）的「体声波」...qorvo 在电源领域持续深耕，通过丰富的产品组合如电源管理芯片（pmic）、断电保护（plp）、dc/dc 稳压器、电池管理、智能电机控制以及碳化硅产品，来满足工业、企业、消费电子和汽车领域的供电、保护和控制需求
这种需求在电力电子行业尤为突出，新一代功率器件碳化硅（sic）技术应用与生产的增长，推动了对更高测量精度的需求。dlm5000hd 系列支持多通道测量并提升了垂直轴的分辨率，从而满足了这些需求。
芯联集成从2021年起开始投入碳化硅mosfet芯片、模组封装技术的研发和产能建设，公司在两年时间内完成了三轮技术迭代，碳化硅mosfet的器件性能已经与国际先进水平同步，是国内规模化量产最大的碳化硅mosfet
深入开展新型电子材料“融链”工程，支持东营、烟台、滨州、聊城等市向集成电路材料、新型显示基础材料等领域拓展，支持济南、德州等市提升大尺寸硅片、碳化硅衬底产能，支持淄博等市提升集成电路关键封装材料产能。...深入开展先进计算“固链”工程，支持济南市、青岛市加快关键器件、基础软件迭代升级，支持威海等市围绕打印机等计算机外设产品招引关键零部件制造企业。
深入开展新型电子材料“融链”工程，支持东营、烟台、滨州、聊城等市向集成电路材料、新型显示基础材料等领域拓展，支持济南、德州等市提升大尺寸硅片、碳化硅衬底产能，支持淄博等市提升集成电路关键封装材料产能。...深入开展先进计算“固链”工程，支持济南市、青岛市加快关键器件、基础软件迭代升级，支持威海等市围绕打印机等计算机外设产品招引关键零部件制造企业。
重点方向：特种结构材料、高性能膜和催化材料、二维材料、超材料、氮化镓及碳化硅等第三代半导体材料、特种纤维材料等。集成电路。...重点在新架构、新方法、新工具、新器件等方面形成重大突破，为超越摩尔定律提供原创理论和技术路线。重点方向：硅基异质集成芯片、碳基芯片、光电芯片、（超）宽禁带半导体技术基础、eda设计技术基础等。
在储能市场规模爆发式增长的背景下，国电南自联合中国电科旗下的国基南方，围绕关键核心技术开展央企联合攻关，实现了功率电子核心器件自主可控。...12月7日，中国电工技术学会在南京组织召开科技成果鉴定会，国电南自主持研发的“全国产化碳化硅功率模块的构网型储能变流器与控制关键技术及应用”成果顺利通过鉴定并正式发布。
随着装置核心器件的国产化应用，其成本进一步下探，已具备大规模推广应用条件。...现场联调结果的成功，标志着首台基于国产sic-mosfet（碳化硅场效应管）的低压配电网柔性调控装置在嘉兴平湖投运，处于国际领先水平。
高标准建设国家第三代半导体技术创新中心，加快推动碳化硅、氮化镓单晶衬底及外延材料制备技术升级和应用延伸，大力发展电力电子器件、微波射频器件、光电子器件等产品，超前布局发展氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体材料
重点方向：特种结构材料、高性能膜和催化材料、二维材料、超材料、氮化镓及碳化硅等第三代半导体材料、特种纤维材料等。集成电路。...重点在新架构、新方法、新工具、新器件等方面形成重大突破，为超越摩尔定律提供原创理论和技术路线。重点方向：硅基异质集成芯片、碳基芯片、光电芯片、（超）宽禁带半导体技术基础、eda设计技术基础等。
重点方向：特种结构材料、高性能膜和催化材料、二维材料、超材料、氮化镓及碳化硅等第三代半导体材料、特种纤维材料等。集成电路。...重点在新架构、新方法、新工具、新器件等方面形成重大突破，为超越摩尔定律提供原创理论和技术路线。重点方向：硅基异质集成芯片、碳基芯片、光电芯片、（超）宽禁带半导体技术基础、eda设计技术基础等。
除了单晶硅和多晶硅材料外，在光储一体化设计方面，碳化硅（sic）等宽禁带器件和驱动类产品正在推进功率密度不断提升，系统成本进一步降低，同时实现更多的功能。技术迭代助推光伏度电成本持续降低。
高标准建设国家第三代半导体技术创新中心，加快推动碳化硅、氮化镓单晶衬底及外延材料制备技术升级和应用延伸，大力发展电力电子器件、微波射频器件、光电子器件等产品，超前布局发展氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体材料
作为国内较早具备碳化硅(sic)功率器件制造能力的企业，积塔专注于半导体集成电路芯片特色工艺的研发，为汽车电子、工业控制和高端消费电子领域提供核心芯片特色工艺制造平台和技术服务。...其工艺技术平台覆盖jbs和mosfet等，已建成自主知识产权的车规级650v/750v/1200v碳化硅jbs工艺平台、650v/750v/1200v碳化硅mosfet工艺平台。
03 搭载全球首款基于碳化硅技术的工商业储能变流器采用第三代半导体碳化硅作为核心功率器件，为全球首款基于碳化硅技术的工商业模块化储能变流器。
巩固电子特种气体、碳化硅衬底、半导体外延片、溅射靶材等基础材料优势;发展硅片切割、芯片检测等半导体专用装备,提升射频、光通信、传感器等专用芯片设计水平;加快第三代半导体芯片器件、微波射频、电源管理、高端传感器等专用芯片生产线建设
巩固电子特种气体、碳化硅衬底、半导体外延片、溅射靶材等基础材料优势;发展硅片切割、芯片检测等半导体专用装备,提升射频、光通信、传感器等专用芯片设计水平;加快第三代半导体芯片器件、微波射频、电源管理、高端传感器等专用芯片生产线建设
支持保定围绕topcon电池、智能光伏组件、光伏背板、6-8英寸碳化硅衬底、第三代半导体芯片与器件，以及计算机、服务器、激光雷达等智能网联终端等实施一批重大项目，提升产品核心竞争力。...支持保定围绕topcon电池、智能光伏组件、光伏背板、6-8英寸碳化硅衬底、第三代半导体芯片与器件，以及计算机、服务器、激光雷达等智能网联终端等实施一批重大项目，提升产品核心竞争力。
支持保定围绕topcon电池、智能光伏组件、光伏背板、6-8英寸碳化硅衬底、第三代半导体芯片与器件，以及计算机、服务器、激光雷达等智能网联终端等实施一批重大项目，提升产品核心竞争力。...支持保定围绕topcon电池、智能光伏组件、光伏背板、6-8英寸碳化硅衬底、第三代半导体芯片与器件，以及计算机、服务器、激光雷达等智能网联终端等实施一批重大项目，提升产品核心竞争力。
该大功率充电桩搭载了新型碳化硅半导体功率器件，充电效率比常见的快充桩、慢充桩分别提升了1.4倍和3.1倍。其搭载的强制液冷技术，可以有效降低充电桩充电时电缆和接口的温度，提高充电设施使用寿命。
在萧山亚运村，一个看似普通的充电桩实际上采用了新型的碳化硅半导体功率器件，这种器件可以将充电效率提升至常见快充桩的1.4倍、慢充桩的3.1倍。
鼓励发展有机硅、碳化硅等硅基新材料领...梳理产业图谱，大力引进适用于新能源产业的光电子器件、功率半导体器件、敏感元件及传感类器件、智慧能源信息系统等企业，加快发展智能储能集成系统、半导体硅材料等关键信息技术及产品。
储能变流器的功率器件碳化硅版本的出炉，一定程度标着上述难题逐渐被解决。据悉，搭载盛弘股份碳化硅125kw pcs，一体柜直接进化为125kw/250kwh，实现了相同体积下带电量增加。
２.提升新型储能材料、装备及关键器件供给能力。保障高性能碳酸锂、氢氧化锂和前驱体材料等供给，提升单晶高镍、磷酸铁锰锂等正极材料性能。提高石墨、锂复合负极等负极材料应用水平。...围绕动力电池、驱动电机、电机控制器、功率模块（igbt、碳化硅）、机电耦合装置、混合动力整车控制系统等纯电及混合动力系统核心部件，提升动力总成性能，降低能耗，提升系统效率。3.底盘系统。
2.提升新型储能材料、装备及关键器件供给能力。保障高性能碳酸锂、氢氧化锂和前驱体材料等供给，提升单晶高镍、磷酸铁锰锂等正极材料性能。提高石墨、锂复合负极等负极材料应用水平。...围绕动力电池、驱动电机、电机控制器、功率模块（igbt、碳化硅）、机电耦合装置、混合动力整车控制系统等纯电及混合动力系统核心部件，提升动力总成性能，降低能耗，提升系统效率。3.底盘系统。
