与此同时，越来越多的企业开始导入sic技术，用来作为硅mosfet或igbt的替代方案。...目前sic技术在储能pcs市场应用发展迅速，行业内盛弘股份、英博电气、航微能源等企业已推出搭载sic器件的储能pcs。储能pcs技术发展变化资料来源：高工产研储能研究所（ggii），2024年7月
mosfet，电压等级≥1200v，电流≥600a）；纯电动重型卡车换电电池板系统；插电式混合动力机电耦合驱动系统；燃料电池发动机（质量比功率≥350w/kg），燃料电池堆（体积比功率≥3kw/l），...臭氧催化转化换热器3、新能源汽车关键零部件：电动汽车驱动电机系统（高效区：85%工作区效率≥80%），车用 dc/dc（输入电压100～400v），大功率电子器件（igbt，电压等级≥750v，电流≥300a；sic
一、产品介绍基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏svg行业，igbt/sic mosfet的应用广泛，而驱动电源作为专为igbt/sic mosfet驱动器提供驱动能力的来源
今年，双方持续深化合作，全力攻坚核心元器件国产化，实现国产sic-mosfet替代进口igbt功率芯片，并正式投入应用。...现场联调结果的成功，标志着首台基于国产sic-mosfet（碳化硅场效应管）的低压配电网柔性调控装置在嘉兴平湖投运，处于国际领先水平。
其工艺技术平台覆盖jbs和mosfet等，已建成自主知识产权的车规级650v/750v/1200v碳化硅jbs工艺平台、650v/750v/1200v碳化硅mosfet工艺平台。...作为国内较早具备碳化硅(sic)功率器件制造能力的企业，积塔专注于半导体集成电路芯片特色工艺的研发，为汽车电子、工业控制和高端消费电子领域提供核心芯片特色工艺制造平台和技术服务。
与此同时，纳芯微不断拓展其汽车应用的产品组合，如应用于汽车主驱电机电流检测的磁电流传感器，同时也在积极开发和验证车规级1200v sic mosfet产品。...围绕光伏、储能、充电桩、工业控制、汽车电子等应用领域，全面展示其在传感器、信号链、电源管理三大方向的创新产品和解决方案，包括电流传感器、数字隔离器、接口、隔离采样、隔离电源、隔离驱动、电机驱动，以及其sic
据悉，清纯半导体是目前国内极少数能够在sic器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产车规级sic mosfet的企业之一，相关产品已经在光伏储能、新能源汽车等领域得到广泛应用。
深圳（福田）智能制造中心（b405-0266）40 普联技术有限公司全球研发中心41 普联技术有限公司下一代互联网设备总部项目42 全球智能芯片创新中心43 神舟电脑新舟工业园44 新能源汽车用碳化硅（sic...）mosfet芯片45 骏星国际物流中心46 深圳市博硕科技股份有限公司智能科技园建设工程项目47 深圳航天东方红卫星有限公司大湾区城市安全星座遥感系统48 坪山新能源汽车产业园区项目(g14301-0111
晶能紧抓汽车电动化高增长趋势，以逆变器功率模块为切入点，通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力，开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品，服务于新能源汽车、电动摩托车、
浙江晶能以逆变器功率模块为切入点，通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力，开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品，服务于新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能等“双碳”产业场景
晶能紧抓汽车电动化高增长趋势，以逆变器功率模块为切入点，通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力，开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品，服务于新能源汽车、电动摩托车、
三、产品应用作为igbt/sic mosfet专用驱动电源，可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中igbt/sic mosfet器件的驱动，以光伏svg系统为例，可配合驱动芯片来共同驱动后端的igbt
老红过去知道“电驱、电控、电池”是电动车行业的三大基础技术，可怎么也没想到光伏行业的阳光电源一夜之间跨界进入电动车行业，还“成为国内首家开发出使用第三代宽禁带功率半导体（单管sic mosfet）并联技术的电机控制器企业
包括：开发集成控制器的新型拓扑结构，实现燃料电池升压 dc/dc、空压机电机控制器、高压配电单元、电堆内部交流阻抗检测等集成控制；研究高可靠 sic mosfet 栅介质材料和芯片集成封装技术，开发 sic
si igbt与sic mosfet的技术有相通之处，拥有igbt技术有利于开...si igbt向sic mosfet转换sic pcu丰田内部完成sic元件所有工序混动上也大量使用sic特斯拉model 3长续航的奥秘特斯拉与sic特斯拉是继丰田后第二家使用全sic功率模块的车企，
在此，我们诚挚地邀请您参与英飞凌&北京晶川共同举办的coolsictm 碳化硅功率mosfet技术、器件和应用网络研讨会，共同探讨碳化硅的最新技术与应用。...在线直播时间：2018年09月18日上午10:00-11:00碳化硅(sic)凭借优良的材料特性，成为下一代高速、高效及高压的功率半导体的理想基础材料。
项目以实现碳化硅和氮化镓光伏逆变器的示范应用为最终目标，开发了低缺陷sic外延生长技术、攻克了氮化镓二极管及增强型氮化镓三极管设计技术、碳化硅二级管及mosfet关键工艺和量产技术、高压氮化镓和碳化硅器件高频驱动技术
当把sic反并二极管与快速igbt相结合后，逆变器的效率将进一步改善。...2、逆变器效率的影响因素提高逆变器效率唯一的措施就是降低损耗，逆变器的主要损耗来自于igbt、mosfet等功率开关管，以及变压器、电感等磁性器件。
(4)1200v 的igbt和1200v的sic二极管相结合，开关频率更高，可以提高效率，减少电感的容量。...光伏逆变器中的功率开关器件主要是指分立器件功率mosfet和功率模块igbt。早期的中功率组串式逆变器，一般采取分立器件，由于功率mosfet电流都比较少，一般都采取多个器件并联的方式。
第四代是绝缘栅晶体管(igbt)，它是一种用mos栅控制的晶体管，它集中了gtr和mosfet的优点，驱动电路简单和开关频率高，和mosfet相似，输出电流大和gtr相似，第五代是加入sic碳化硅材料的
在今年的pcim展会上，英飞凌将展出基于1200 v sic mosfet技术的其他模块平台和拓扑。它们将逐步扩大coolsic mosfet的性能范围。...碳化硅mosfet可以实现高速开关，另外，英飞凌碳化硅mosfet技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度，因此，可以轻松优化emc性能。
电源系统使用高功率半导体开关，例如基于硅的mosfet和基于新型氮化镓(gan)和碳化硅(sic)的mosfet，需要高电流隔离的驱动器去控制开关。...si827x栅极驱动器一流的抗扰性能允许开发人员安全的采用快速开关mosfet或者更快的gan和sic开关实现电源系统，显著提升了系统整体效率，同时增强了可靠性。
在射频领域，已研制出性能极高的零带隙大面积石墨烯ｍｏｓｆｅｔ、双层石墨烯ｆｅｔ等产品；在石墨烯数字逻辑方面，已出现了双层石墨烯晶体管、纳米带晶体管和隧穿ｆｅｔ及相关电路。...加热ｓｉｃ法加热ｓｉｃ法是在ｓｉｃ晶圆的ｓｉ面或ｃ面上，通过加热使ｓｉ原子蒸发掉而在ｓｉｃ上形成石墨烯层。该方法制作的石墨烯材料层数可控，面积较大，具有较高的载流子迁移率，能够研制出高性能的射频芯片。
宽禁带宽度材料，sic mosfet具有相当低的漏电流，更适应在高电压环境中的应用;日前，mornsun与sic mosfet行业龙头企业合作，打造了一款sic mosfet专用的隔离转换dc-dc模块电源
作为下一代半导体材料，碳化硅(sic)引起市场广泛关注。意法半导体最新的碳化硅功率mosfet具有优异的能效和可靠性，为公司的产品阵容增加了导通电阻不同的新产品。...凭借意法半导体独有的封装技术，新的1200v sic功率 mosfet的工作温度高达200 c，适用于高温工作环境，例如太阳能逆变器、电动汽车、混合动力汽车、计算机服务器系统和工业电机。
