SiC Mosfet具有耐高压、低功耗、高速开关的特质，极大地提升了太阳能逆变器的电源转换效率，拉长新能源汽车的可跑里程，应用在高频转换器上，为重型电机、工业设备带来高效率、大功率、高频率优势。据调查公司Yole developmet统计，SiC Mosfet现有市场容量为9000万美元，估计在2013-2020年SiC Mosfet市场将每年增长39%。由此可预见，SiC即将成为半导体行业的新宠!
SiC Mosfet对比Si IGBT主要有以下优势：
1. 低导通电阻RDS(ON)，使SiC Mosfet具有优越的正向压降和导通损耗性能，更适应高温环境下的工作;
2. 优良的输入特性，即SiC Mosfet拥有低栅极电荷，具备卓越的切换速率;
3. 宽禁带宽度材料，SiC Mosfet具有相当低的漏电流，更适应在高电压环境中的应用;
日前，MORNSUN与SiC Mosfet行业龙头企业合作，打造了一款SiC Mosfet专用的隔离转换DC-DC模块电源--QA01C。
QA01C在效率高达83%的情况下，具有不对称+20VDC/+100mA、-4VDC/-100mA输出，完美满足SiC Mosfet的可靠开启及关断要求。低至3.5pF的隔离电容，允许QA01C工作在高频应用中，不被重复充放电拖慢工作频率。3500VAC高隔离耐压，减少了高压总线对低压控制侧的干扰。220uF大容性负载使得QA01C具有瞬时驱动大功率特性，更好地应对SiC Mosfet对高频开关的要求。
目前，QA01C系列已经通过了UL/CE/CB60950认证，产品可靠性已经得到了权威机构的认可。
● 隔离电容3.5pF
● 高隔离电压3500VAC
● 不对称驱动电压：输出电压+20/-4VDC，输出电流+100/-100mA
● 大容性负载220uF
● 效率高达83%
● 工作温度范围: -40℃ ~ +105℃
