这背后，是全球首创准谐振软开关sic模块化pcs技术的支撑：桥壁换流主功率开关零电流开通、零电压关断；二极管零电流和零电压关断，大幅降低了功率器件的开关损耗，让高效与静音并驱前行。
目前，sic二极管在光伏行业也已经得到了成熟的应用。为此，纳芯微推出了1200v系列sic二极管产品。
实验室将针对igbt单管、sic二极管、sic mos和igbt模块等半导体器件进行全方位检测和评估，通过各类测试平台及可靠性平台充分验证半导体器件的温升、损耗、电应力、热阻，温度适应性和寿命等是否满足逆变器整机应用需求
依托现有材料及光显示器件企业技术优势，重点发展液晶显示器件(lcd)、有机发光二极管显示器件(0led)、发光二极管显示器件(led)、柔性显示器件等产品及检测装备，提高制造工艺及产品良品率。
针对dc-dc升压模块，1个mppt 通道可支持最大约 25a光伏组串输入（2个组串并联），各模块都有不同的mppt数、igbt额定电流、sic二极管额定值，应根据应用所需的mppt数和每路 mppt的功率选用适当的模块和模块数
项目以实现碳化硅和氮化镓光伏逆变器的示范应用为最终目标，开发了低缺陷sic外延生长技术、攻克了氮化镓二极管及增强型氮化镓三极管设计技术、碳化硅二级管及mosfet关键工艺和量产技术、高压氮化镓和碳化硅器件高频驱动技术
3) 采用全新第五代sic碳化硅二极管，降低导通损耗，可以支持更高的开关频率，具备更强的浪涌电流承受能力，具备卓越的散热性能。4) 国际知名品牌的电容和继电器，使用寿命长，运行可靠。
当把sic反并二极管与快速igbt相结合后，逆变器的效率将进一步改善。...因此，将碳化硅二极管作为主开关的反并二极管，是改善逆变器效率的途径。与传统快恢复硅反并联二极管相比，采用碳化硅反并联二极管后，二极管反向恢复电流显著减小，并可以改善1％的总变换效率。
(4)1200v 的igbt和1200v的sic二极管相结合，开关频率更高，可以提高效率，减少电感的容量。...下面中vincotech专为中功率组串式逆变器推出的igbt功率模块，前级升压采用双boost功率模块，由2个igbt和4个二极管组成，包含boost模块的开关器件和二极管外，还包含跨接二极管。
igbt+si二极管的损耗，随着频率的改变损耗变化幅度非常大，而igbt+sic二极管的损耗，随着频率的变化改变不是很大。尤其是在16k到48k，其总损耗几乎是线性的，增加幅度较小。
集成的体二极管确保低损耗续流功能。该easy 1b适用于传动、太阳能或焊接技术领域的应用。采用半桥拓扑的easy 2b：这个较大的easy器件，其性能增强，每个开关的rds(on)为8 m。
在这个三相拓扑结构中，6个切换位置中的每个都包括一个100asicmosfet晶体管和一个100asic肖特基续流二极管。
2.关键技术(1)高效三相pfc交错技术，采用先进的sic二极管和st的stw57n65m5mosfet来提高pfc部分的效率，减小损耗和原材料的使用。...一、技术名称：通信用240v高压直流供电系统技术二、技术所属领域及适用范围：可应用于工业、通讯、国防、医院、计算机业务终端、网络服务器、网络设备、数据存储设备等各个领域的数据机房中向服务器等通信设备供电
2.关键技术(1)高效三相pfc交错技术，采用先进的sic二极管和st的stw57n65m5mosfet来提高pfc部分的效率，减小损耗和原材料的使用。...一、技术名称：通信用240v高压直流供电系统技术二、技术所属领域及适用范围：可应用于工业、通讯、国防、医院、计算机业务终端、网络服务器、网络设备、数据存储设备等各个领域的数据机房中向服务器等通信设备供电
该模块采用碳化硅（sic）二极管，型号为psh50ya2a6。...该产品采用混合构造，即二极管部分配备sic制肖特基势垒二极管（sbd）、晶体管部分配备采用三菱电机自主开发的cstbt（利用载流子积聚效应的igbt）构造的第七代igbt。
此次该公司刷新了自己的纪录，其原动力来自全sic化，也就是说二极管和晶体管均使用了sic，而非原来的si。此次三菱电机采用了自主制造的功率半导体模块，将先于其他公司上市全sic光伏逆变器。
届时, 专家团队将会详细讲解英飞凌一系列创新性功率器件的技术进行讲解;包括第七代coolmostm，第五代sic肖特基二极管以及第五代低压optimostm等，在开关电源、照明、高效光伏逆变、 高可靠性马达驱动
坂本介绍说，采用sic二极管并没有造成成本大幅上涨。如果能全部使用sic，成本反而有可能降低。...该公司采用sic二极管的逆变器通过减少开关损耗和导通损耗，大幅降低了转换损失。虽然目前仍需组合使用igbt（绝缘栅双极型晶体管），但今后，通过完全采用sic，估计损耗还将减少60％左右。
在600v～6000v耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(sbd)及mosfet等sic单极性器件满足。
在600v～6000v耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(sbd)及mosfet等sic单极性器件满足。
目前，中心已成功研制出sic肖特基二极管样品，并组合封装成混合型igbt模块。...并还将与国内其他单位及相关科研院所一道，展开sic电力电子器件集成制造技术研发与产业化、6英寸sic单晶材料研发与产业化及其在大功率igbt等器件中的应用两大课题的新研究。
另外，继2013年10月上市的最大输出功率5.9kw的室外用功率调节器之后，此次的产品也采用sic二极管。...配备sic二极管功率调节器新产品vbpc246b是额定输出功率为4.6kw的室外设置型。据松下介绍，vbpc246b与其他公司4kw左右的产品相比，优点是配备了4个最大功率点跟踪（mppt）电路。
功率半导体保护整流二极管、功率晶体管、晶闸管。其中，功率晶体管具有放大和开关的作用。放大是指低频功率变为高频功率，开关是指切换电路的开与关。充分利用放大作用，就可以使用小功率驱动马达。
超级结mosfet优势明显，在较低的输出电容(eoss) 可获得轻载条件下较高的效率;较高的体二极管耐用性和较小的反向恢复电荷(qrr)能为谐振转换器提供更可靠的系统。...为 了帮助设计师满足这些挑战，在创新的高性能功率晶体管技术方面，随着可理想适用于功率转换系统的碳化硅(silicon carbide，sic)技术解决方案的推出，飞兆半导体扩大了它的领导地位。
另外，英飞凌也在致力于利用薄型sic基片的sic二极管的研发。...通过减薄sic二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kv以下的低中耐压产品中最为突出。
