重视沉浸蚀刻技术，IBM重绘IC产品路线图

  IBM公司目前正悄悄将沉浸蚀刻添加到其芯片制造蓝图中，以求为下一波器件浪潮做好准备。IBM公司著名工程师、Albany NanoTech研发总监Jim Ryan表示“确实在我们的产品路线图上了。” 

  2003年IBM计划将193纳米工具扩展到65纳米节点，因此将157纳米扫描器挤到45纳米节点。对于32纳米节点，IBM已评估了几种下一代蚀刻技术(NGL)，如电子束发射(EPL)、极超紫外线(EUV)等。自从那时起，整个IC工业已经基本上从他们的蓝图上将157纳米蚀刻取消或推后。沉浸蚀刻作为45纳米节点及以上的强劲候选技术脱颖而出。 

  研究组织Albany NanoTech表示，已开始采用荷兰ASML公司提供的全球首套193纳米“预生产”沉浸蚀刻系统加工300mm晶圆。来自Albany NanoTech、ASML、IBM和TEL的研究人员将在300mm晶圆扫描器追踪平台上，联合验证并优化面向193纳米沉浸蚀刻的材料和工艺。此外，AMD和英飞凌科技也将与CNSE合作，开发沉浸蚀刻工艺和应用。 

  业内人士认为，IBM的消息公布将有利于ASML。