IBM采用CMOS工艺集成10Gbps的硅光电检测器

IBM日前宣布，其研究人员采用130纳米1.5V CMOS工艺集成了一片10Gbps的硅光电检测器，打开了一条芯片到芯片和板到板光互连的通途。光电检测器最终可用于芯片级互连，到2010年，当处理器的时钟频率超过11.5GHz时，光互连可能会用来避免芯片到芯片和片上瓶颈。 

在2003年VLSI技术论坛上，IBM沃森研究中心研究人员Min Yang介绍了单片式集成光电检测器，实现比以往所讨论的硅光电检测器要高很多的数据检测率10Gbps。Yang表示，该检测器工作电压也小很多，仅为1.5V。一打或更多的光电检测器可集成为一个单一器件，面积为16x15平方微米，用于并行数据链接。检测器最初可用于服务器之间的高速数据通信。 

她表示，由于该检测器是按常规硅CMOS工艺加工的，与砷化镓检测器的成本相比，缩减幅度相当大。Yang指出，该方法的关键所在是深侧向沟道，与IBM嵌入DRAM技术里所采用的高平面率(high-aspect-ratio)沟道相类似。