浙江晶能以逆变器功率模块为切入点，通过“芯片设计+模块制造+车规认证”的组合能力，开发车规级igbt芯片及模块、sic器件、中低压mosfet等产品，服务于新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能等“双碳”产业场景
si igbt与sic mosfet的技术有相通之处，拥有igbt技术有利于开...si igbt向sic mosfet转换sic pcu丰田内部完成sic元件所有工序混动上也大量使用sic特斯拉model 3长续航的奥秘特斯拉与sic特斯拉是继丰田后第二家使用全sic功率模块的车企，
2、逆变器效率的影响因素提高逆变器效率唯一的措施就是降低损耗，逆变器的主要损耗来自于igbt、mosfet等功率开关管，以及变压器、电感等磁性器件。...当把sic反并二极管与快速igbt相结合后，逆变器的效率将进一步改善。
大家都知道，功率开关管的失效模式是过压，过温，过流。...(4)1200v 的igbt和1200v的sic二极管相结合，开关频率更高，可以提高效率，减少电感的容量。
第四代是绝缘栅晶体管(igbt)，它是一种用mos栅控制的晶体管，它集中了gtr和mosfet的优点，驱动电路简单和开关频率高，和mosfet相似，输出电流大和gtr相似，第五代是加入sic碳化硅材料的
摘要：本文简要比较了下sic mosfet管和si igbt管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据sic mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的
关注点一：功率半导体器件性能 1998年，infineon公司推出冷mos管，它采用“超级结”（super-junction）结构，故又称超结功率mosfet。...例如同步整流sr技术，即以功率mos管反接作为整流用开关二极管，代替萧特基二极管（sbd），可降低管压降，从而提高电路效率。
