SiC基片

另外，英飞凌也在致力于利用薄型sic基片的sic二极管的研发。...其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在sic二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。目前，sic基片的厚度以350m为主流，超薄产品也要达到230m左右。

首先，将单晶sic基片贴合在多晶sic基片上。然后，一边加热一边将单晶基片从多晶基片上剥离，剥离时使单晶基片的一部分留在多晶基片上。