最后，该模块基于alsic基板、ain基片和银烧结等高性能材料，以提供与sic器件之间近乎完美的热膨胀系数（cte）匹配，以及耐热方面的高鲁棒性和功率循环表现。...最大限度减少寄生电感可更快切换sic晶体管并降低切换损耗。
外延生长法外延生长法是高温和超高真空中使得单晶碳化硅(sic)中的硅原子蒸发，剩下的碳原子经过结构重排形成石墨烯单层或多层，从而得到石墨烯。...外延生长法所获得的石墨烯面积较大，且质量较高，缺点是单晶sic价格贵。溶剂剥离法溶剂剥离法的原理是将少量的石墨分散于溶剂中，形成低浓度的分散液，利用超声波的作用破坏石墨层间的范德华力，此时溶剂可以插
另外，英飞凌也在致力于利用薄型sic基片的sic二极管的研发。...其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在sic二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。目前，sic基片的厚度以350m为主流，超薄产品也要达到230m左右。
首先，将单晶sic基片贴合在多晶sic基片上。然后，一边加热一边将单晶基片从多晶基片上剥离，剥离时使单晶基片的一部分留在多晶基片上。
