相较于n-pert电池，topcon技术只需要增加薄膜沉积设备，能很好地与目前量产工艺兼容，便于产线升级。...国内另一家实现n型电池大规模量产的企业——林洋光伏的技术路线图显示，在n-pert量产的基础上，开发和导入氧化铝钝化、黑硅rie及topcon等技术，预计电池量产效率将达23%。
2004年，日本京瓷公司引入了干法黑硅rie多晶制绒技术。在2008年，以韩国公司为代表的设备厂家开始在中国推广干法黑硅rie技术。...2017年4月，比太科技发布第四代rie干法黑硅量产设备tysol-4000。据悉，比太科技干法黑硅设备出货量已超过1gw。
微导wr5400产能在一代产品基础上进一步提升30%左右、设备整体占地面积缩小10%、设备拆装效率提升10%，通过诸如此类的优化使得rie工序coo较wr4000降低了40%，而且设备成本不升反降。
与此同时，11月3日下午2：30先导集团旗下先导智能和微导纳米，将在无锡君来世尊酒店二楼12号会议室召开新产品说明会，就最新型的mbb串焊机、半片串焊机、光伏组件整线解决方案、背钝化设备、rie黑硅设备等产品进行全面深度的技术解读和产品推介
另外，专门为解决金刚线多晶制绒难问题所开发的反应离子刻蚀（rie）技术，于今年3月份在客户现场实现第一片实验片反射率做到10%以下，首次金刚线多晶2800片实验平均效率做到19%以上，最高19.41%的好成绩...使用江苏微导的原子层沉积设备制备的氧化铝薄膜有着异于寻常的钝化特性，在不同的电池结构上都达到了远低于市场同类钝化设备薄膜厚度的表面钝化效果。
这次开发的用于太阳能电池表面干法制绒的设备经过数轮的技术攻关，成功突破产能极限，实现较传统rie设备产能提高25%以上。...有了这样一台具备coo优势和效率优势的rie设备，相信会让金刚线多晶技术如虎添翼，为客户带来更大的价值。
微导rie黑硅与ald背钝化技术的结合，为晶硅太阳能电池效率突破、降低成本提供最佳量产方案。...在不断增加的高效率、低成本晶硅太阳能电池市场需求驱动下,微导为单、多晶高效太阳能电池技术提供高性能ald钝化和rie干法制绒生产解决方案。
根据所用镀膜设备的不同，管式pecvd通常采用双层sinx1/sinx2减反射膜，板式pecvd则采用渐进式减反射膜。...为有效降低绒面反射率，目前已经有反应离子刻蚀（rie）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。
目前多晶组件主流瓦数约在260w、单晶组件则在270w-275w，故单晶组件实现领跑者计划的需求相对容易、多晶组件则需依赖perc或rie等技术方能达标。...而n型单晶电池虽没有光衰的问题，但n型单晶硅片良率较低、目前价格也较无弹性；此外，生产n型单晶电池需额外购置昂贵设备，成本因素使其目前难以成为主流产品，仍需2~3年的时间酝酿。
细数过去的技术历史，reactiveionetching(rie)、laserisolation、selectiveemitter(se)、laserdoping、doubleprint、dualprint...perc产能分布比较今年各间厂商的扩产不若2014年各间厂商对centrotherm改机，或尝试singlus、levitech、solaytec、asm等各种设备，而是选择采用成功量产的厂商所选用的机台
反应离子刻蚀技术（rie）是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层mask（掩膜）再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。...链式扩散设备不仅适应inline自动化生产方式，而且处理硅片尺寸几乎不受限制、碎片率大大降低而迅速受到重视，其工艺有喷涂磷酸水溶液扩散与丝网印刷磷浆料扩散二种。
，精益化管理每个生产环节，还对影响产量的因素进行了详细分析，采取设备24小时全开、生产一线职工加班加点以及tpm设备管理措施提高产量。...太阳能电力公司密切跟踪先进技术，通过外协实验、与知名企业合作等方式，完成了对背钝化、背抛光技术的实验，攻克了背钝化刻槽后铝浆填充不实等技术难点，实现了仅增加此项技术效率提升至20.5%；完成了rie技术在多晶电池上的应用技术储备
目前，多晶硅绒面技术主要有机械刻槽、激光刻槽、等离子刻蚀(rie)和各向同性酸腐蚀。在硅片表面织构的制作过程中，可能会引入机械应力和损伤，在后处理中形成缺陷。...目前公司主营产品有：显影清洗设备、蚀刻脱膜设备、中间水洗设备、pet卷材清洗设备、单片制程清洗设备、玻璃减薄设备、二次强化设备、盖板玻璃清洗设备、背抛光刻蚀清洗设备、单(多)晶制绒设备、全自动spm超声清洗设备
反应离子刻蚀技术(rie)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层mask(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。...用这种方法制备出的减反射绒面非常完美，表面反射率最低可降至0.4%，单多晶技术统一，生产工艺与设备都可移植于ic工业，如果生产成本能够进一步降低可望取代化学腐蚀方法而大规模使用。
目前韩国周星公司应用该技术的设备可制得绒面反射率低于在2%~20%范围。(2)减反射膜。它的基本原理是位于介质和电池表面具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉从而完全抵消。...目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术(rie)，该技术的优点是和晶硅的晶向无关，适用于较薄的硅片，通常使用sf6/o2混合气体，在蚀刻过程中，f自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的sif4，o自由基形成
目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术(rie)，该技术的优点是和晶硅的晶向无关，适用于较薄的硅片，通常使用sf6/o2混合气体，在蚀刻过程中，f自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的sif4，o自由基形成...目前韩国周星公司应用该技术的设备可制得绒面反射率低于在2%~20%范围。(2) 减反射膜。它的基本原理是位于介质和电池表面具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉从而完全抵消。
目前，多晶硅绒面技术主要有机械刻槽、激光刻槽、等离子刻蚀（ｒｉｅ）和各向同性酸腐蚀。...本章主要讨论清洗制绒（碱性制绒和酸性制绒）的基本原理及其清洗制绒设备的主要结构、工艺流程、维护和发展方向。
这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统
这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统
e600；磁控溅镀设备：s100b：热蒸发蒸镀设备：t600：高密度电浆蚀刻设备：p200e+：电浆干式蚀刻设备（rie）：p100e；批量式高密度、低损伤电浆干式去光阻设备：p60a；电浆干式清洗设备
