元胞结构及间距也经过精心设计，优化了寄生电容参数，从而实现最佳开关性能。
（二）整改方向二：改善rcd吸收参数，削减振荡方案①：减小吸收电容吸收电容串联二极管的寄生电容与漏感在正常工作中也存在振荡，可以通过减小吸收电容可以改善这一点。
④漏电流保护：其主要原因与pv绝缘保护类似，大部分情况都是因为环境中水分增多而导致光伏组件对地寄生电容大，又或是线缆和接头处出现浸雪（水）、磨损、裸露等，因此逆变器容易报漏电流。
漏电流形成的原因光伏发电系统中，电网、逆变器、组件及其对地寄生电容之间会形成回路，回路中光伏直流侧对地电压变化会引起漏电流问题(图1)。
，共模电压将在寄生电容上产生共模电流。...本文主要介绍逆变器的漏电流控制技术1、光伏系统为什么会产生漏电流光伏系统漏电流，又称方阵残余电流，本质为共模电流，其产生原因是光伏系统和大地之间存在寄生电容，当寄生电容-光伏系统-电网三者之间形成回路时
然而由于配电网系统的复杂性和特殊性，即使电力电子装置产生的谐波满足国家标准，但当谐波频率与线路中的寄生电感和寄生电容的固有谐振频率满足一定条件时，会致使谐波发生谐振现象，使得线路中很小的谐波电流和谐波电压就会因谐振被放大几十倍甚至更高
太阳能发电系统中，光伏组件与地之间存在一个对地寄生电容，在潮湿环境或者雨天时，该寄生电容会变大。...寄生电容与光伏发电输出电网系统形成共模回路，对地寄生电容能够与并网逆变器中的滤波元件和电网阻抗形成谐振通路，当共模电流的频率到达谐振回路的谐振频率点时，电路中会出现大的漏电流，该共模电流在增加了系统损耗的同时
4、长距离布线时，由于受到布线的寄生电容充电电流的影响，会使快速响应电流限制功能降低，接于二次侧的仪器误动作而产生故障。因此，最大布线长度要小于规定值。不得已布线长度超过时，要把pr．156设为1。...5、在变频器输出侧不要安装电力电容器，浪涌抑制器和无线电噪音滤波器。否则将导致变频器故障或电容和浪涌抑制器的损坏。6、为使电压降在2%以内，应使用适当型号的导线接线。
除此之外，电源变压器的主、副边绕组对磁芯的寄生电容cpc、cac以及变压器磁芯对地的寄生电容cce，也同样会对emi产生较大的影响。这些寄生电容在电路中的分布如上图所示。
dc/dc内部的干扰耦合路径可能有三个，第一变压器自身带的寄生电容，dc/dc内部的反馈回路器件光耦的寄生电容和为提升emi效果而增加的安规y电容。...高电压变化率引起的干扰信号会通过信号光耦和dc/dc电源原副边寄生电容耦合到控制侧，我们这里已经选定了信号光耦，所以我们只关注dc/dc的设计。
由于一次侧和二次侧绕组间寄生电容的存在，变压器开关时，在分界处存在dv/dt，将静默层布置在绝缘胶带的两侧，即一次侧和vin相连的一端，二次侧和地相连的一端，分别布置在绝缘胶带两侧，可以减小分界处寄生电容的
首先，当在t1-t2时间段内上管门极信号使能，s1导通，s2关断，电感电流线性上升，t2-t3时间段内，此时间段被驱动信号死区时间内，上下桥臂开关管均没有驱动信号，此时电感电流使开关管寄生电容c1充电，...以上为电路工作在buck状态下的分析，对于boost同样适用，上下管工作在零电压开通条件下，并使二极管d1的反向恢复损耗为零，寄生振铃现象得到抑制。从而实现了zvrt。3.
高隔离、低隔离电容医疗产品要求极低的漏电流，电力电子产品需要原边和次级之间尽量少寄生电容。这两个行业有一个共性的需求，即要求尽量高的隔离耐压，和尽量低的隔离电容，用以降低共模干扰对系统的影响。
一、主要干扰源(1) 静电感应静电感应是由于两条支电路或元件之间存在着寄生电容，使一条支路上的电荷通过寄生电容传送到另一条支路上去，因此又称电容性耦合。...雷电甚至地磁场的变化也会干扰传感器的正常工作;各种信号线绑扎在一起或走同一根多芯电缆，信号会受到干扰，特别是信号线与交流动力线同走一个长的管道中干扰尤甚;(3) 漏电流感应由于电子线路内部的元件支架、接线柱、印刷电路板、电容内部介质或外壳等绝缘不良
2 1.2电容性耦合电容性耦合也称为电耦合，由于两个电路之生的尖峰电压是一种有较大幅度的窄脉冲，其频间存在寄生电容，使一个电路的电荷通过寄生电容影响到另一条支路。
在这里集电极电流就是骚扰电流，当集电极电流产生变化时，也就会有di/dt, 这时会有高频分量通过寄生电容到散热片。...关于igbt对emc影响的两个问题，如图所示igbt在关断的瞬间，vce电压上升所形成的du/dt对igbt与散热器之间的寄生电容充放电，根据公式i=c*du/dt所形成的共模噪声电流从散热器导入地然后回流至电源端
3.5电力系统铁磁谐振产生的条件电力系统中许多元件是属于电感性的或电容性的，如电力变压器、互感器、发电机、消弧线圈为电感元件，补偿用的并或串联电容器组、高压设备的寄生电容为电容元件，而线路各导线对地和导线间既存在纵向电感又存在横向电容
器件导通电阻低至1.5，具有11pf的cs(off)的低寄生电容、100ns的开关时间和0.033w的功耗。...与前一代产品和在相同占位内具有近似导通电阻的竞争模拟开关相比，这些器件在关闭状态下的源极寄生电容要低50%，电荷注入最多低80%。
输入端有感性负载时，对于交流输入信号，可在负载两端并接电容和电阻，对于直流输入信号可并接续流二极管。为了抑制输入信号线间的寄生电容、与其他线间的寄生电容或耦合所产生的感应电动势，可采用rc浪涌吸收器。
分析模型建立在确定变压器等效电路模拟各单元的基础上，其中忽略寄生电容。与频率相关的电阻和漏感，用dowell提出的方法计算。虽然只考虑了一维作用，但发现这种方法用于单层高宽比大的线圈是合理的。...还要注意到，在这个频率附近器件达到共振频率(70mhz)，因此，电容作用可能使电阻再增大。
尤其当导线较长的情况下，导线寄生电容的影响将会对测量结果有致命的影响。在pcap01当中，可以对传感器的导线寄生电容...：导线补偿：在电容测量当中，导线的寄生电容对于整个测量的影响是不能够忽略的。
主要特点和优势 体积仅8.1 x 6.7 x 5.4 立方毫米 寄生电容低至25至95 pf主要数据...由于运用了一个特殊的缠绕技术，绕组之间的寄生电容只25至95pf，具体取决于型号。杂散电感也同样很低，介于0.9 和2.5h之间。
式中：ip为器件开关过程中流过的电流最大值；vp为器件开关过程中承受的电压最大值；ts为开通关断时间；f为工作频率；cds为功率mosfet的漏源寄生电容。...开关损耗可分为开通损耗、关断损耗和电容放电损耗。
主要特点和优势●体积仅8.1 x 6.7 x 5.4 立方毫米 ●寄生电容低至25至95 pf 主要数据...由于运用了一个特殊的缠绕技术，绕组之间的寄生电容只25至95pf，具体取决于型号。杂散电感也同样很低，介于0.9 和2.5μh之间。
dg2725在3v下的典型导通电阻为0.7ω，同时具有更低的寄生电容。dg2599在1.65v～5v电压下工作，可用作4路spdt或双路dpdt开关。
