优点是对于传感器的工作原理比较清楚，类别少，利于对传感器进行深入分析和研究。根据半导体有关理论分类分为半导体力敏、热敏、光敏、气敏等固态传感器。
传感器未来技术方展方向1、mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;2、集成工艺和多变量复合传感器微结构集成制造工艺
2012年传感器发展重点传感器技术(1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器
传感器技术 (1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器
发展重点 传感器技术 (1)mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀(drie)工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器
传感器 (1) mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型传感器：如用微硅电容传感器
3.发展重点 3.1 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺;封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺
从中国科学院电子学所得知，第16届固态传感器、执行器与微系统国际会议将于2011年在北京举行，此次获得最高学术会议主办权标志着我国传感技术领域的发展水平得到了国际同行的认可。
发展重点 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器
三、重点发展的前沿及关键技术 1、传感器技术 发展重点是： （1）mems工艺和新一代固态传感器 ①微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺； ②封装工艺：如常温键合倒装焊接
发展重点 传感器技术 （1）mems工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（drie）工艺或igp工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器
，惯性传感器(加速度计与陀螺仪器件)2008年将成为固态传感器领域中的最大产品类别。...icinsights表示：“约有80%的固态传感器和致动器有用微电机系统(mems)技术，以完成变换器功能。”
