传统硅基负极存在体积膨胀和循环性能差的问题正在得到解决，采用化学气相沉积（cvd）技术在硅颗粒表面包覆碳层，其中多孔结构和碳包覆等同于给硅材料搭建了一个碳元素组成的框架，不仅充分利用了硅元素的比容量优势
电池中国还了解到，璞泰来的新一代纳米硅碳产品已完成技术定型，cvd沉积技术和硅碳复合技术能有效满足未来负极材料长循环、低膨胀的性能需求。
天风证券指出，基于其一致性更好，化学气相沉积（cvd）法制备多孔硅碳复合材料膨胀率更低，对应的循环性能也得到了显著提升。...滨海能源透露，其公司硅碳产品已经完成小试实验条件的确定。行业对硅碳负极的应用前景普遍看好。
1.1气相沉积法气相沉积法包括化学气相沉积法(cvd)和物理气相沉积法(pvd).cvd是一种用于生产高质量、高性能的固体材料的化学过程，这个方法通常应用于半导体领域的薄膜制造.pvd是一种真空沉积法，
2016年，韩国一家研究所通过化学气相沉积(cvd)法，有效解决了硅体积膨胀的问题，推动碳-纳米硅-石墨复合负极材料大规模生产。
据悉，课题组已将此项技术成功拓展至其它基底上生长立式石墨烯，如碳纤维、氧化物/碳化物/氮化物纤维、泡沫碳、炭黑、硅颗粒等，可广泛应用于导热/导电/高强复合材料、柔性导体、电磁屏蔽、吸声、储能、催化、吸附净化等领域
石墨烯主要有如下几种生产方法：机械剥离法、化学气相沉积法(cvd)、氧化-还原法、溶剂剥离法、溶剂热法、高温还原、光照还原、外延晶体生长法、微波法、电弧法、电化学法等。当前石墨烯电池这一名词很火热。
为了制备具有高容量的可伸展收缩的锂离子电池柔性负极，斯坦福大学崔屹教授课题组通过化学气相沉积（cvd）法先制备出负载有高容量晶体硅的碳骨架负极，再通过聚合反应在骨架表面包覆一层具有高弹性的聚合物以大大提高电极的机械应变性能
化学气相沉积法化学气相沉积法(chemical vapor deposition，cvd)首次在规模化制备石墨烯的问题方面有了新的突破(参考化学气相沉积法制备高质量石墨烯)。
化学气相沉积（ｃｖｄ）法ｃｖｄ法是以铜和镍等金属材料作为衬底来生长具有原子级厚度的石墨烯材料。...目前石墨烯制造方法多达几十种物理方法主要有机械剥离法、取向附生法和加热ｓｉｃ外延生长法；化学方法主要有电弧放电法、化学剥离法、氧化还原法和化学气相沉积（ｃｖｄ）法。
通过使用化学气相沉积(cvd)的方法，铂，镍或钛的碳化物在高温环境中暴露在乙烯或苯当中，来产生单层(一层一个原子厚)石墨烯。...但是生产大面积高品质的石墨烯，其生产成本远高于硅。这种生产成本当中很大一部分是生产石墨烯的基板。
当前，国际上制备石墨烯薄膜多采用昂贵的cvd(化学气相沉积)方法，牛利团队发现，这种方法很难控制薄膜的厚度，特别是难以进行复杂的图案化设计。...去年，华为掌门人任正非曾表示，未来10～20年，将迎来石墨烯颠覆硅的时代。随后，有西方媒体报道，西班牙研发出石墨烯电池，充电8分钟可续航1000公里。近年来，石墨烯似乎已成为无所不能的新材料之王。
化学气相沉积法(cvd)。化学气相沉积法主要用于制备石墨烯薄膜，高温下甲烷等气体在金属衬底(cu箔)表面催化裂解沉积然后形成石墨烯。...石墨烯目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料，它幾乎是完全透明的，只吸收2.3%的光;导热系數高達5300 w/mk，高于碳纳米管和金刚石，常温下其电子迁移率超过15000 cm2/vs，又比纳米碳管或硅晶体高
化学气相沉积法(cvd)。化学气相沉积法主要用于制备石墨烯薄膜，高温下甲烷等气体在金属衬底(cu箔)表面催化裂解沉积然后形成石墨烯。...石墨烯目前是世上最薄却也是最坚硬的纳米材料，它幾乎是完全透明的，只吸收2.3%的光;导热系數高達5300 w/mk，高于碳纳米管和金刚石，常温下其电子迁移率超过15000 cm2/vs，又比纳米碳管或硅晶体高
1.3薄膜硅路线环节薄膜硅的源头，也是采用金属硅，先制成硅烷气，然后通过气相沉积技术在薄膜衬底上形成非晶硅薄膜，之后制作pn结，形成薄膜电池组件。
1改良西门子法闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢(或外购氯化氢)，氯化氢和产业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行cvd反应生产高纯多晶硅
1 改良西门子法闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢(或外购氯化氢)，氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行cvd
，氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行cvd反应生产高纯多晶硅。
1 改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢(或外购氯化氢)，氯化氢和产业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行cvd
