2019年度国家科学技术奖提名工作已结束，国家科学技术奖励工作办公室共收到有关单位和专家提名的国家自然科学奖项目295项，国家技术发明奖项目298项(通用项目239项，专用项目59项)，国家科学技术进步奖项目956项（通用项目784项，专用项目172项）。
学科专业评审组： 机械与动力组
项目名称： 高压大电流IGBT芯片关键技术及应用
提名单位： 国家铁路局
提名单位意见： 绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片是控制电能传输、转换的“CPU”，其技术长期被国外封锁，国内应用市场主要依赖进口。作为传统产业转型升级和战略性新兴产业的核心基础部件，高压IGBT成为严重制约轨道交通、智能电网等高端装备技术与产业发展的主要瓶颈之一。 该项目全面攻克高压IGBT芯片设计与制造关键技术，研制完成1700V-6500V高压IGBT系列产品，成功应用于轨道交通、智能电网等高端装备领域，典型应用包括“高速动车组”、“大功率机车” 、“地铁车辆”、“电力系统工程”等，并远销印度、俄罗斯和欧洲市场，销售IGBT超20万套，实现销售收入40.4亿元。获授权发明专利57项，发表论文60篇。项目成果达到国际先进水平；曾获中国铁道学会科技进步特等奖、中国电源学会技术发明特等奖。 该项目发明打破国外垄断，实现国内高压IGBT技术“从无到有、从弱到强”、产品“从依赖进口到国产替代、开始批量出口”的战略跨越，支撑了中国高铁、智能电网等高端装备健康、可持续发展，引领了国内高压IGBT技术和相关应用产业的健康发展。 我单位认真审阅了该项目提名书及附件材料，确认全部材料真实有效，各栏目填写符合国家科学技术奖励工作办公室的要求。该项目相关情况在我单位官网进行了公示，同时所有完成人所在单位也进行了公示，公示均无异议。
提名该项目为国家技术发明奖二等奖
项目简介：
推广应用情况：
主要知识产权证明目录（第一完成人在纸质提名书签名）：
主要完成人：
姓名：刘国友
排名：1
行政职务：副总工程师
技术职称：教授级高工
工作单位：株洲中车时代电气股份有限公司
完成项目时所在单位：株洲中车时代电气股份有限公司
对本项目技术创造性贡献：作为项目的负责人，主持高压IGBT关键技术研究开发，负责制定芯片设计及工艺总体技术方案；主持IGBT芯片结构设计及其关键工艺试验。对该项目技术发明点1-3都做出了创新性的贡献。 项目核心发明专利第一发明人（附件1.1.1、1.1.2），项目重要发明专利附件第一发明人（附件2.2.3、2.2.5、2.2.7），论文第一作者（附件2.2.11、2.2.12）。
曾获国家科技奖励情况：2010年国家科技进步二等奖，“特大功率电力电子器件技术及推广应用”（排名第3）
姓名：盛况
排名：2
行政职务：院长
技术职称：教授
工作单位：浙江大学
完成项目时所在单位：浙江大学
对本项目技术创造性贡献：负责IGBT芯片及其封装基础理论研究，提出了IGBT动静态解析模型，完成高压IGBT芯片导通损耗、开关损耗建模及设计仿真，为高压IGBT芯片设计特别是导通损耗与关断损耗的优化提供解决方案。对项目技术发明点1-3做出了创造性贡献。 项目重要发明专利第一发明人（附件2.2.4），项目重要发明专利主要发明人（附件2.2.2），项目论文主要作者（附件2.2.9、2.2.10）。
曾获国家科技奖励情况：无
姓名：罗海辉
排名：3
行政职务：副主任
技术职称：教授级高工
工作单位：株洲中车时代电气股份有限公司
完成项目时所在单位：株洲中车时代电气股份有限公司
对本项目技术创造性贡献：完成高压高电流密度IGBT理论研究，负责IGBT芯片关键技术的研究，突破IGBT芯片参数均匀性的提升，并主持IGBT芯片制造工艺研究与开发。对技术发明点1-3有创造性贡献。 项目核心发明专利第一发明人（附件1.1.3），项目重要发明专利主要发明人（附件1.1.1、2.2.8），论文主要作者（附件2.2.11、2.2.12）。
曾获国家科技奖励情况：无
姓名：覃荣震
排名：4
行政职务：芯片设计主管
技术职称：高级工程师
工作单位：株洲中车时代电气股份有限公司
完成项目时所在单位：株洲中车时代电气股份有限公司
对本项目技术创造性贡献：完成高压高电流密度IGBT理论研究，负责完成高压IGBT芯片结构设计，从结构上设计上提升IGBT芯片必须具备的高功率容量、低损耗及宽安全工作区等特性。对项目技术发明点1-3做出了创造性贡献。 项目核心发明专利主要发明人（附件1.1.1、1.1.2），项目重要发明专利主要发明人（附件2.2.3、2.2.5、2.2.7），论文主要作者（附件2.2.12）。
曾获国家科技奖励情况：无
姓名：黄建伟
排名：5
行政职务：副总工程师
技术职称：教授级高工
工作单位：株洲中车时代电气股份有限公司
完成项目时所在单位：株洲中车时代电气股份有限公司
对本项目技术创造性贡献：负责高压高功率密度IGBT理论研究与芯片设计，完成高压IGBT芯片关键工艺技术研究、工艺流程的整合与优化，提高了芯片工艺的均匀性、稳定性及成品率。对项目技术发明点1-3有创造性贡献。 项目核心发明专利主要发明人（附件1.1.1、1.1.2），项目重要发明专利主要发明人（附件2.2.3、2.2.5、2.2.7、2.2.8），论文主要作者（附件2.2.12）。
曾获国家科技奖励情况：无
姓名：肖海波
排名：6
行政职务：芯片产品主管
技术职称：工程师
工作单位：株洲中车时代电气股份有限公司
完成项目时所在单位：株洲中车时代电气股份有限公司
对本项目技术创造性贡献：完成高压高电流密度IGBT产品实现，负责完成高压IGBT/FRD芯片流程和工艺实现，改善了导通损耗与关断损耗矛盾、解决了终端高应力等问题，实现低损耗及宽安全工作区等特性。对项目技术发明点1、3做出了创造性贡献。 项目重要发明专利主要发明人（附件1.1.3、2.2.6、2.2.8）。
曾获国家科技奖励情况：无
