虽然1997年的《京都议定书》将SF6气体定为限制使用的高温室效应气体,但SF6气体的使用量仍然逐年增加。SF6气体温室效应潜在值(globalwarmingpotential,GWP)是CO2气体的23900倍,虽然每年排放的SF6气体相比于CO2非常微小,但是SF6在大气中的寿命长达3200年,且在大气中的含量约以每年8.7%的速度高速增长,对全球变暖有累积效应[1-2]。从长远来看,SF6气体的高温室效应指数、高大气寿命、大气含量高增速会对环境产生很大危害。
SF6气体绝缘设备的正常泄露、调试、检修,SF6气体的回收都会使得SF6气体进入大气环境中。目前,减少SF6气体排放的措施包括：采用更先进的SF6气体泄漏检测设备定期检测SF6绝缘设备中SF6气体的泄漏量并及时采用先进材料进行泄漏部位的封堵[3];SF6气体回收再利用技术的研究与应用。这些措施一定程度上减少了SF6的排放量。同时,科研人员做了大量研究,希望找到能够替代SF6气体用于气体绝缘设备的新介质。替代气体的研究首先针对SF6/N2,SF6/CO2混合气体展开,研究发现SF6含量在20%~40%的SF6/N2混合气体具有较好的应用前景。例如,在瑞士日内瓦机场线路改造时,用于代替原有架空线的GIL,充入的就是20%SF6/80%N2混合气体[4]。从长远来看,无论是采用保守的方法(比如泄漏的检测与封堵),还是用SF6混合气体替代纯SF6气体,都无法从根本上消除SF6气体的温室效应影响及其分解产物中剧毒物质对人身的威胁。SF6的温室效应问题已经成为一个不容忽视的全球问题,鉴于日益严峻的全球气候变暖问题,迫切需要寻找温室效应较小而耐电强度与SF6气体相当的气体替代SF6。
CF3I气体是一种新型合成气体,无色、无味、不可燃[5-6],其GWP小于5,远远低于SF6气体,臭氧消耗潜在值(ozonedepletingpotential,ODP)约为0,且大气寿命仅为0.005年,对环境影响甚微。CF3I气体是经NFPA标准认证的哈龙1301优选替代灭火剂,在半导体蚀刻、发泡剂等领域也具有广泛的应用前景。近年来,科研人员对CF3I气体的绝缘性能和灭弧性能展开了一系列研究,研究表明,CF3I及其混合气体是一种性能优良的绝缘气体：CF3I气体在均匀电场下的绝缘性能总体高于SF6气体,而在不均匀电场下略低于SF6气体[7-8];CF3I气体放电分解产物有C2F6、CHF3、C3F8、C3F6和C2F5I等,几乎没有毒性[9];纯CF3I气体的灭弧性能是SF6气体的0.9倍,混合比k(本文指CF3I气体或SF6气体在混合气体中的比例)为20%的CF3I/CO2混合气体开断性能已经与纯CF3I接近[10-11];缓冲气体(如N2、CO2等)可以降低CF3I液化温度,改善CF3I混合气体的绝缘性能和灭弧性能。此外,虽然现有研究证实了CF3I优质的绝缘能力,但由于其还处在研究阶段,CF3I尚未在气体绝缘设备中实际应用,导致其市场价格偏高,国内价格约为纯SF6价格的20倍以上,随着研究的持续进行以及使用的推广,其批量生产必然导致价格下降,现阶段可通过混合缓冲气体降低其使用成本,因此,迫切需要对CF3I混合气体绝缘特性展开系统性全方位研究。
目前该领域对CF3I及其混合气体的研究总体还不够全面,虽然对CF3I及其混合气体的击穿性能已经有所研究,但研究主要集中在纯CF3I及常压下混合气体方面,对考虑多因素的CF3I及其混合气体的工频击穿特性还缺乏系统的研究,本文在不同的电场下,综合考虑气压(0.1~0.3MPa)和混合比(10%~50%)对CF3I及其混合气体工频击穿特性的影响,为替代SF6气体提供支持。
1 CFI/N混合气体工频击穿试验
本文所用的试验回路如图1所示,调压器为感应调压器(0~380V),用来控制试验变压器的电压;通过无晕试验变压器为放电实验容器提供所需的工频电压,其额定容量为60kVA,高低压绕组变比为60kV/400V,额定电流为1.0A/150A,最大局放量小于5pC;本平台使用阻值为20kΩ的保护电阻对电路进行过流保护,以免试验变压器在击穿试验中遭到破坏,其额定电压为100kV;实验中击穿电压值通过额定电压100kV、额定电容2000pF、分压比1/1000的电容分压器将电极间电压传递为电压表可读量程从而获取实验数据。本文使用该试验系统采集不同条件下容器内部击穿电压数据[12-13]。
图1试验接线图
实验前需对实验罐体内部进行彻底清洁,连接好实验电路后,彻底密封实验罐体并对其进行抽真空和洗气处理,洗气过程中使用试验用气体对罐体内部进行多次充放气,去除其残余空气或其他气体影响,实验开始前向罐中充入一定比例和气压事先通过多功能动态配气仪(型号GC400)精确配制的混合气体。实验开始后使用逐步升压法,从0kV开始对试品加压,匀速缓慢增加试验电压,当发生击穿现象,调压器发生跳闸,记录击穿时电压表的示数为该试品在该条件下的击穿电压,重复测量5次取平均值作为最终结果记录,防止偶然误差。每次加压实验间隔20min,给击穿造成的局部绝缘气体分解提供充裕的时间自恢复和内部气体循环,防止由于击穿造成的电极间局部区域气体绝缘强度下降对气体特性的测试造成影响。
电介质在不同电场均匀度下的绝缘特性是不同的,研究不同电场均匀度的对绝缘介质的影响有助于全面了解其绝缘性能。为了量化稍不均匀电场和极不均匀电场的条件,引入电场利用系数η。
η=EavEmaxη=EavEmax(1)
Eav=UdEav=Ud(2)
式中：Emax为最大场强;Eav为平均场强;U为电极间电压;d为电极间距。
若η=1.则电场为均匀电场;若1/2<η≤1,则电场为准均匀电场;若1/4<f≤1/2,则电场为稍不均匀电场;若f<1/4,则电场为极不均匀电场。本文用针-板电极、半球头棒-板电极和球-球电极分别模拟极不均匀电场、稍不均匀电场和准均匀电场。之所以模拟的是准均匀电场,是因为实际应用中均匀电场难以实现,准均匀电场具有更大的研究价值。所有的电极材料都选择导电性良好的黄铜。本文所用针-板电极模型如图2所示,其中,针电极直径为3mm,长为17mm,针尖部分长为7mm,曲率半径为0.3mm。板电极厚度为8mm,平板部分直径为92mm。半球头棒-板电极模型如图3所示,球头棒电极直径为5mm,长32.5mm,半球头直径2.5mm,板电极与针-板电极中的板电极完全相同。球-球电极模型如图4所示,两个球电极完全相同,球电极的半径为25mm。由于黄铜熔点较低,击穿试验易造成针电极尖端烧熔损坏,电场均匀度改变,试验结果不精确,在进行击穿试验时,必须定期更换针电极。经过仿真计算,求得的3种电场的电场利用系数如表1所示。
图2针-板电极
图3球头棒-板电极
图4球-球电极
表1电场利用系数
2 试验结果及分析
2.1 CFI/N和SF/N的工频击穿电压随气压的变化
图5所示为不同混合比的CF3I/N2和SF6/N2混合气体的工频击穿电压随气压的变化规律。同一电场下,随着混合比的增加,SF6/N2混合气体的工频击穿电压随气压的增长的非线性度逐渐增强;同一混合比下,随着电场利用系数的增加,SF6/N2混合气体的工频击穿电压随气压增长的非线性度逐渐减弱,在纯SF6中这种规律尤为明显。
图5CF3I/N2和SF6/N2的工频击穿电压随气压的变化
混合比低于30%的SF6/N2混合气体工频击穿电压随气压增加趋于线性增长,而CF3I/N2混合气体在不同电场、不同混合比下的工频击穿电压随气压的变化规律没有表现出明显差别,均呈线性增长,相比SF6/N2混合气体,CF3I/N2混合气体的工频击穿电压受气压的影响较小。随着电场利用系数的提高,各混合比的CF3I/N2和SF6/N2混合气体的工频击穿电压都明显增加,对于CF3I/N2混合气体,随着电场利用系数的增加,其工频击穿电压随气压增长的线性增长率逐渐提高,也说明了电场越均匀,气压越高,CF3I/N2混合气体的工频击穿特性越优异。
CF3I/N2与相同条件下SF6/N2混合气体工频击穿电压的比值如表2所示。对于极不均匀电场,纯CF3I气体的击穿电压只能达到纯SF6气体的0.73倍,但混合N2后不同混合比CF3I/N2的工频击穿电压平均可达到了SF6/N2的0.9倍;对于稍不均匀电场,各混合比的工频击穿电压比值相差不大,CF3I/N2的工频击穿电压平均达到了SF6/N2的0.93倍,较针-板电极,二者的比值提高,特别是纯气的比值提高明显;对于准均匀电场,随着混合比k的增加,比值略有提高,各混合比的CF3I/N2的工频击穿电压总体达到了SF6/N2的0.96倍,较半球头棒-板电极,二者的比值稍有提高,纯气的比值提高明显,当混合比超过50%,CF3I/N2的工频击穿电压接近并超过SF6/N2混合气体。电场越均匀,CF3I/N2相对SF6/N2混合气体的工频击穿特性越优异。
表2CF3I/N2与SF6/N2混合气体工频击穿电压的比值
在电气设备中,由于生产工艺不足和装配失误等原因,容易导致不均匀电场的产生,从而造成局部放电的发生,甚至发展成击穿事故。在超高压设备中,由于设备内部环境难以达到绝对可靠,电场轻微畸变普遍存在,而较高的电压等级导致即使是稍不均匀电场也存在事故隐患,在电场畸变不严重的缺陷下,CF3I及其混合气体CF3I/N2表现出达到甚至超越SF6/N2的击穿特性。
2.2 电场均匀度对CFI/N和SF/N的工频击穿电压的影响
从图5可以发现,针对不同电场类型,CF3I/N2和SF6/N2的击穿电压存在差别,其中以图5(d)中极不均匀电场下的CF3I和SF6差别最大,这是由于SF6对不均匀电场的强敏感性,即使N2的掺杂可以改善其敏感性,但是CF3I/N2和SF6/N2在电场敏感性方面仍表现出差别。图6所示为CF3I/N2和SF6/N2混合气体的工频击穿电压随电场利用系数的变化规律。CF3I/N2和SF6/N2的工频击穿电压都随电场利用系数的增加逐渐增长,即电场越趋向均匀,则放电发生的难度越大。在0.1MPa时,CF3I/N2和SF6/N2混合气体的工频击穿电压总体相差不大,而且随电场利用系数的增长趋势相近,但随着气压和混合比的升高,两种混合气体随电场利用系数的增长趋势表现出差异,CF3I/N2混合气体的工频击穿电压随电场利用系数的增长率高于SF6/N2气体,各混合比的CF3I/N2气体的工频击穿电压在电场利用系数较低时明显低于相同条件的SF6/N2气体,随着电场利用系数的增加,CF3I/N2气体的工频击穿电压逐渐接近甚至超过SF6/N2混合气体。气体在不均匀电场中的绝缘性能相比均匀电场下降的程度定义为气体对电场的敏感度。相比准均匀电场,气压不低于0.1MPa的CF3I/N2混合气体在极不均匀电场中工频击穿电压下降的程度要高于相同条件下的SF6/N2混合气体,CF3I/N2混合气体对电场不均匀度的敏感程度高于SF6/N2混合气体。纯CF3I对电场的敏感度尤其高,这与文献[14]的结论一致,文献[14]指出均匀电场下纯CF3I的冲击闪络电压是SF6的1.2倍,极不均匀电场下下降为0.7倍。本文中,0.3MPa时,纯CF3I在准均匀电场下的工频击穿电压为纯SF6气体的1.08倍,但在极不均匀电场下工频击穿电压是纯SF6气体的0.84倍。N2的加入,改善了CF3I和SF6对电场的敏感度,相比于纯气,CF3I/N2混合气体对电场不均匀度的敏感程度虽然有所降低,但仍然略高于同条件下的SF6/N2混合气体。
图6CF3I/N2和SF6/N2的工频击穿电压随电场利用系数的变化
图6CF3I/N2和SF6/N2的工频击穿电压随电场利用系数的变化
2.3 CFI/N混合气体的协同效应
前文讨论了SF6/N2、CF3I/N2两种混合气体与气压和电场的关系,同时可以看出混合比对混合气体绝缘性能有影响,混合比的研究将对新型替代气体在工业应用中提供最优配比参考值,因此将对混合比对击穿电压的影响进行分析。
SF6/N2、CF3I/N2两种混合气体工频击穿电压随混合比的变化规律如图7所示。不同电场下,两种混合气体的工频击穿电压均不是随着混合比的增加线性增长,而呈非线性增长。极不均匀电场下,虽然随着气压的升高,SF6/N2混合气体的击穿电压随混合比的增长率逐渐降低,但最大值均出现在纯SF6气体条件下,而CF3I/N2混合气体的工频击穿电压在气压不低于0.15MPa时都出现极大值,且随着气压的增加,极大值趋于混合比降低的方向。稍不均匀电场下,SF6/N2和CF3I/N2两种混合气体的工频击穿电压都随着混合比的增加呈“增长-饱和”的变化规律。混合比k小于30%时,两种混合气体的工频击穿电压随气压的增加快速增长,混合比大于50%后,工频击穿电压随气压的增加增速变缓,并逐渐趋于饱和。准均匀电场下,与稍不均匀电场相同,SF6/N2混合气体的工频击穿电压随着混合比的增加仍然呈“增长-饱和”的变化规律,而CF3I/N2混合气体的工频击穿电压随混合比的增速虽然变缓,但混合比超过50%,工频击穿电压仍然有明显增加。
图7SF6/N2和CF3I/N2混合气体工频击穿电压与混合比k的关系
气体的击穿是由于电子与气体分子发生碰撞,不断产生电子崩,从而导致自持放电的形成。SF6和CF3I都是强电负性气体,可以吸附自由电子成为负离子,降低自由电子的浓度,且负离子质量远大于电子,基本不再参与之后的电离过程,自持放电难以形成,所以具有很高的耐电强度。随着SF6和CF3I混合比的增加,低能电子数量减少,其吸附电子形成负离子的概率明显下降,即使再继续增加体积分数,也不会明显提高击穿电压,将呈现出饱和趋势。
实际上,非线性度的大小可以用来表示协同效应的明显程度[15]。根据图形可以定性判定两种混合气体的协同效应类型,极不均匀电场下,SF6/N2混合气体总体呈协同效应,CF3I/N2混合气体总体呈正协同效应,稍不均匀电场和准均匀电场下,两种混合气体都呈协同效应。选择混合气体作为绝缘气体,呈正协同效应的混合气体将表现出极大的优势,正协同效应使得混合气体的绝缘性能与纯气相当或超过纯气,如图7所示,极不均匀电场下,混合比k为20%~40%的CF3I/N2混合气体就可以获得与纯CF3I相当的工频击穿强度。协同效应越明显,混合气体作为绝缘气体越有优势。但仅根据图形很难辨别协同效应的强弱,引入协同效应指数C,C与气压及混合比的k的关系如公式(3)[12]所示：
Vm=V2+k(V1−V2)k+(1−k)C,V1>V2Vm=V2+k(V1−V2)k+(1−k)C,V1>V2(3)
式中：V1和V2是纯气体的击穿电压;Vm是混合气体的击穿电压;k是混合比;C是常数。根据式(3)的计算,分别得到如表3—5所示的3种电场下SF6/N2和CF3I/N2两种混合气体的协同效应值。文献[12]定义了同一气压下不同混合比协同效应值的平均值为该气压下的协同效应指数Cp,Cp代表同一缺陷下该气压水平下混合气体协同效应的整体情况。CF3I/N2混合气体的协同效应C出现了负值,而文献[12,16-17]仅对0≤C<1时的协同效应做出解释,只定义了协同效应与线性关系两种类型,有必要对其进行补充和进一步的阐释,并提出通过混合气体C值大小判定协同效应类型及协同效应强弱的定量分析方法：
表3 极不均匀电场下CF3I/N2混合气体的协同效应值
表4稍不均匀电场下CF3I/N2混合气体的协同效应值
表5准均匀电场下CF3I/N2混合气体的协同效应值
1）k<m时,C<0m≤k<1时,C1,其中0<m<1,m为混合气体的击穿电压等于V2时对应的混合比k值,则混合气体属于负协同效应型,C值越大,负协同效应越明显;
2）C1,则混合气体属于负协同效应型,C值越大,负协同效应越明显;
3）C=1,则混合气体属于线性关系型,Vm随着k的增长由V2线性增长到V1;
4）0<C<1,则混合气体属于协同效应型,且C越接近0,协同效应越明显;
5）k<m时,0<C<1m≤k<1时,C<0,其中0<m<1,m为混合气体的击穿电压等于V1时对应的混合比k值,则混合气体属于正协同效应型,C值越小,正协同效应越明显。
由表3—5可以看出,极不均匀电场下,SF6/N2混合气体Cp值总体符合上述分析的第(4)条,呈现协同效应,Cp值随气压升高逐渐降低,协同效应逐渐增强。CF3I/N2混合气体C值在0.15MPa及以上气压出现负值,符合上述分析的第(5)条,在该气压条件下CF3I/N2混合气体呈正协同效应,从Cp值随气压变化情况看,该混合气体在极不均匀电场下随气压升高逐渐从协同效应转化成正协同效应,证明CF3I和N2在畸变的电场下其绝缘性能会相互促进,达到整体提升。协同效应明显程度整体优于SF6/N2混合气体,这弥补了纯CF3I在极不均匀电场下绝缘性能较差的劣势,使得CF3I/N2混合气体比纯CF3I更具有应用价值。稍不均匀电场和准均匀电场下,SF6/N2和CF3I/N2两种混合气体C值都符合上述分析的第(4)条,呈现协同效应。稍不均匀电场下,两类混合气体Cp值都处在0.2左右,证明在该电场条件下两类混合气体的成分在击穿特性方面协同性相近。准均匀电场下,SF6/N2混合气体的Cp值处在0.14~0.28之间,而CF3I/N2混合气体的Cp值处在0.26~0.46之间,SF6/N2混合气体的协同效应优于CF3I/N2混合气体。对于CF3I/N2混合气体,随电场的改变,协同效应越变化相对较大,而不同电场下SF6/N2混合气体的协同效应没有明显差别。3种电场下,随着气压的升高,SF6/N2和CF3I/N2混合气体的Cp值总体都呈下降趋势,气压越高,Cp值越小,协同效应越明显。这是因为气压升高,电子的平均自由行程将变短,电子不易积累能量,低能电子数量将增加,电子被电负性气体吸附的概率增加,因此当体积分数较高时,提高气压将使击穿电压随混合比增加的饱和的趋势得到缓解,对于增强协同效应将更加明显,但随着气压的继续升高也将出现饱和趋势。
2.4 CFI/N混合气体替代SF气体的可行性分析
混合比为10%~50%,气压为0.1~0.3MPa的CF3I/N2在极不均匀电场、稍不均匀电场和准均匀电场下的工频击穿强度分别达到了相同条件下SF6/N2的0.91、0.93和0.96倍,电场越均匀,CF3I/N2相对SF6/N2混合气体的工频击穿特性越优异,CF3I/N2在不同电场下工频击穿电压随气压增加总体呈线性增长趋势。经过不同电场环境下的分析,混合比为10%~50%,气压为0.1~0.3MPa的CF3I/N2与SF6/N2击穿特性基本相似,可以完全胜任现阶段SF6/N2作为绝缘介质的电气设备中。为了研究CF3I/N2取代SF6作为绝缘介质的电气设备的潜力,本文对比了相同电场下不同气压和混合比的CF3I/N2与纯SF6的击穿电压,如图8。
图8不同混合比CF3I/N2和纯SF6击穿电压对比
对比发现：混合比为30%,气压为0.3MPa的CF3I/N2在极不均匀电场、稍不均匀电场、准均匀电场下的工频击穿强度分别达到0.15~0.2MPaSF6的击穿电压水平;混合比为50%,气压为0.3MPa的CF3I/N23种电场下的工频击穿强度值分别达到0.15、0.2和0.25MPaSF6的击穿电压水平,在该混合比条件下不同电场CF3I/N2替代性差别较大,这是由于前文分析得出的CF3I对电场的敏感度较高的缘故,随着CF3I含量的增加,在电场均匀度越高的环境绝缘性能提升越大。气体绝缘电气设备内部在不存在毛刺、微粒等绝缘缺陷前提下主要为稍不均匀电场[18],混合比为30%、气压为0.3MPaCF3I/N2在稍不均匀电场中击穿电压可以超过0.15MPa的纯SF6气体,现阶段广泛使用的气体绝缘环网开关柜(C-GIS)部分使用纯SF6或SF6与N2或CO2的混合气体作为内部绝缘气体,以ABB生产的SafeRing系列绝缘环网柜为例,其使用1.4MPa的纯SF6作为绝缘介质,本文提出的30%以上CF3I/N2完全在可以替代纯SF6应用于GIL[19]和C-GIS等绝缘要求相对较低的电气设备中,对于GIS和H-GIS等需要更高绝缘要求的设备,需要进一步提升CF3I/N2的气压或者CF3I含量[20],后续研究将围绕高气压CF3I/N2混合气体绝缘特性展开,提出适合用于更高电压等级的环保型混合气体方案。
总体来说,使用CF3I/N2混合气体替代SF6气体有巨大的推广前景。CF3I气体的主要优点表现在环保价值方面,且CF3I某些绝缘性能优于SF6。
3 结论
1）CF3I/N2混合气体在不同电场、不同混合比下的工频击穿电压随气压均呈线性增长,相比SF6/N2混合气体,CF3I/N2混合气体的工频击穿电压受气压的影响较小。随着电场利用系数的增加,其工频击穿电压随气压增长的线性增长率逐渐提高,也说明了电场越均匀,气压越高,CF3I/N2混合气体的工频击穿特性越优异。
2）纯CF3I对电场的敏感度尤其高。N2的加入,改善了CF3I对电场的敏感度,相比于纯气,CF3I/N2混合气体对电场不均匀度的敏感程度虽然有所降低,但仍然略高于同条件下的SF6/N2混合气体。
3）极不均匀电场下,CF3I/N2混合气体在0.15MPa及以上气压呈正协同效应,协同效应明显程度整体优于SF6/N2混合气体。稍不均匀电场和准均匀电场下,SF6/N2和CF3I/N2两种混合气体呈现协同效应。两类混合气体的成分在击穿特性方面协同性相近。3种电场下,随着气压的升高,SF6/N2和CF3I/N2混合气体的Cp值总体都呈下降趋势,气压越高,Cp值越小,协同效应越明显。
4）混合比为30%,气压为0.3MPa的CF3I/N2可以替代纯SF6应用于GIL和C-GIS等绝缘要求较低的电气设备中,对于GIS和H-GIS等需要更高绝缘要求的设备,需要进一步提升CF3I/N2的气压或者CF3I含量。
5）综合考虑工频击穿特性、液化温度、温室效应等因素,在GIL和C-GIS等绝缘要求相对较低的电气设备中,气压为0.1~0.3MPa、混合比k为20%~50%的CF3I/N2混合气体具有替代SF6或SF6/N2气体用于气体绝缘设备的潜力。
团队介绍
作者 肖淞，张晓星，戴琦伟，韩晔飞
在国家973计划首席科学家唐炬教授的带领下，本团队现有教授2人，副教授1人，讲师2人，博士后研究人员3名，博士生14名，硕士研究生35名。本课题组隶属武汉大学电气工程学院雷电防护与接地技术教育部工程中心和高电压与绝缘技术国家电网公司重点实验室，长期围绕电力设备在线监测与故障诊断及材料绝缘特性展开研究。
张晓星教授：1972年7月生，男，工学博士，武汉大学电气工程学院教授，博士生导师，教育部新世纪优秀人才，973项目首席科学家助理，武汉大学珞珈学者，国际大电网B3.24、B3.40和B3.45工作组中方委员。现任武汉大学电气工程学院院长助理，高电压与绝缘技术系主任，主要研究方向为电气设备在线监测及故障诊断。获国家技术发明二等奖1项、省部级科技成果一、二等奖5项，在国际会议和国内外组织做特邀及大会报告十余次，在国内外学术刊物与会议上发表论文237篇，其中SCI检索83篇，EI检索133篇，出版中文专著3部、英文专著1部，授权发明专利39项。
肖淞博士（后）：法国图卢兹大学等离子体工程和重庆大学电气工程双博士学位，现任国际大电网B3.24工作组委员，曾任图卢兹市学生学者联合会学术部理事。现在武汉大学电气工程学院任教，并以重点资助博士后身份从事研究工作，主要从事高压电气设备在线监测与故障诊断、SF6替代气体研发和等离子体热力学特性研究。在国内外专业权威期刊上发表学术论文20余篇，其中SCI检索源论文7篇，EI检索源论文10余篇，出版中英文专著各1部，授权发明专利6项。
原标题：武汉大学肖淞，张晓星等：SF6新型环保替代气体CF3I研究
