IBM制造成功自组装半导体存储器元件

    IBM利用分子自组装现象，日前开发成功了一种制造半导体存储器元件的方法。该公司于美国当地时间12月8日宣布了这一消息。不需使用在晶圆上曝光电路图形的光刻技术，而且还能直接沿用现有的半导体制造设备。“由于不需成本昂贵的光刻等制造设备，而且还不需要过多地改进制造工艺，因此风险很小”（IBM）。

　　自组装是指某种聚合物分子自然地聚集而形成规则结构的现象。所生成的物质与光刻等现有半导体制造方法相比，可形成尺寸更小、密度更高、缺陷更少的元件。

　　该公司使用现有半导体制造设备，并通过利用自组装现象，形成了一种可在直径200mm的硅晶圆上像闪存一样运行的纳米级结构。“用现有的方法无法制造出纳米级结晶存储器。如果利用自组装，就能够非常简单地制造出像闪存一样的常用半导体元件”（IBM）。

　　对于采用自组装的制造方法的实用化，该公司认为3～5年后就能够达到试制水平。

　　另外，IBM将在华盛顿特区举办的“IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）”国际学术会议上以“Low Voltage, Scalable Nanocrystal FLASH Memory Fabricated by Templated Self Assembly（利用模块化自组装，制造低压、可扩展纳米级结晶闪存）”为题介绍该方法。定于12月9日发表演讲。